[发明专利]悬空硅层的金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200610002371.9 | 申请日： | 2006-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN1835248A | 公开（公告）日： | 2006-09-20 |
| 发明（设计）人： | 崔梁圭;张东润 | 申请（专利权）人： | 韩国科学技术院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中安信知识产权代理事务所 | 代理人： | 张小娟;徐林 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SON MOSFET及其制造方法，其中在硅基板内形成有气泡，进而同时改进晶块结构和绝缘体上硅(SOI)结构的缺陷。根据本发明的SON MOSFET包括形成在硅基板顶部两侧上的隔离绝缘膜，顺序形成在隔离绝缘膜之间的硅基板表面上的栅极绝缘膜和栅极，形成在栅极绝缘膜和隔离绝缘膜之间的硅基板上源极区和漏极区，形成在栅极绝缘膜下方硅基板内的气泡，以及气泡、源极区和漏极区围绕的置于硅基板内的硅沟道，其中气泡由氢或氦离子形成。 | ||
| 搜索关键词： | 悬空 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种悬空硅层(SON)的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，包括：形成在硅基板顶部两侧上的隔离绝缘膜；顺序形成在隔离绝缘膜之间的硅基板表面上的栅极绝缘膜和栅极；形成在栅极绝缘膜和隔离绝缘膜之间的硅基板上源极区和漏极区；形成在栅极绝缘膜下方硅基板内的气泡；以及气泡、源极区和漏极区围绕的置于硅基板内的硅沟道，其中气泡由氢或氦离子形成。
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