[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200610002411.X | 申请日： | 2006-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN1848431A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 宋均镛;阎江;丹尼·P－C.·舒姆;阿洛艾斯·古特曼 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;英芬能技术北美公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括半导体主体，其包含具有第一晶向的半导体材料。第一晶体管在具有第一晶向的半导体材料中形成。绝缘层覆盖半导体主体的部分并且半导体层覆盖绝缘层。该半导体层具有第二晶向。第二晶体管在具有第二晶向的半导体层中形成。在优选实施方案中，半导体主体是(100)硅，第一晶体管是NMOS晶体管，半导体层是(110)硅并且第二晶体管是PMOS晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体主体，包含具有第一晶向的半导体材料；第一晶体管，在具有第一晶向的半导体材料中形成；绝缘层，覆盖半导体主体的多个部分；覆盖绝缘层的半导体层，该半导体层具有第二晶向；外延生长的半导体区域，覆盖半导体层；以及第二晶体管，在具有第二晶向的外延生长半导体区域中形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
