[发明专利]具有集中地配置了缓冲器或保护电路的布局的半导体集成电路无效
申请号: | 200610002430.2 | 申请日: | 2006-01-27 |
公开(公告)号: | CN1819196A | 公开(公告)日: | 2006-08-16 |
发明(设计)人: | 中村正;榊原清彦;滝川浩 | 申请(专利权)人: | 株式会社瑞萨科技 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在从焊盘(P1~P9)离开的区域(SP1)中集中地配置缓冲器(B1~B9)。区域(SP1)是半导体集成电路的主区域中除了中央处理器(2)、非易失性存储器(4)和易失性存储器(6)之外的区域。由于在焊盘周边部中不设置需要宽的面积的缓冲器,故可缩短焊盘间的间隔或焊盘与内部电路(例如中央处理器(2))的间隔。于是可减小芯片尺寸。因而,可提供能缩小芯片尺寸的半导体集成电路。 | ||
搜索关键词: | 具有 集中地 配置 缓冲器 保护 电路 布局 半导体 集成电路 | ||
【主权项】:
1.一种半导体集成电路,其特征在于,具备:中央处理器;非易失性存储器,非易失性地存储关于在上述中央处理器中进行的处理的信息;易失性存储器,暂时地存储上述信息;多个缓冲器或多个保护电路,配置在半导体衬底的主表面中在设置上述中央处理器、上述非易失性存储器和上述易失性存储器的主区域中的除了上述中央处理器、上述非易失性存储器和上述易失性存储器之外的区域中;多个焊盘,分别与上述多个缓冲器或上述多个保护电路对应地配置;以及多条金属布线,直接连接上述多个缓冲器或上述多个保护电路的每一个与上述多个焊盘中的对应的焊盘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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