[发明专利]自旋注入磁随机存取存储器及写入方法有效
| 申请号： | 200610002435.5 | 申请日： | 2006-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN1811984A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 齐藤好昭;杉山英行;井口智明;岩田佳久 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C7/00;H01L43/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明的一种自旋注入磁随机存取存储器，包括磁电阻元件，该磁电阻元件具有其磁化方向固定的磁性固定层、其磁化方向可以通过注入自旋极化电子改变的磁性记录层、和提供在磁性固定层和磁性记录层之间的隧道势垒层；位线，该位线使自旋注入电流通过磁电阻元件，自旋注入电流用于产生自旋极化的电子；写入字线，辅助电流通过该写入字线，辅助电流用于沿着磁电阻元件的易磁化轴方向产生辅助磁场；以及驱动器/吸收器，该驱动器/吸收器确定自旋注入电流的方向和辅助电流的方向。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 注入 随机存取存储器 写入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自旋注入磁随机存取存储器，包括：磁电阻元件，该磁电阻元件具有其磁化方向固定的磁性固定层、其磁化方向可以通过注入自旋极化电子改变的磁性记录层、和提供在磁性固定层和磁性记录层之间的隧道势垒层；位线，该位线使自旋注入电流通过磁电阻元件，自旋注入电流用于产生自旋极化的电子；写入字线，辅助电流通过该写入字线，辅助电流用于沿着磁电阻元件的易磁化轴方向产生辅助磁场；被连接到位线的第一驱动器/吸收器；被连接到写入字线的第二驱动器/吸收器；第一解码器，该第一解码器控制第一驱动器/吸收器，以根据磁电阻元件中的写入数据中写入数据的值来确定自旋注入电流的取向，同时确定自旋注入电流截止的计时；以及第二解码器，该第二解码器控制驱动器/吸收器，以根据数据写入期间写入数据的值来确定自旋注入电流的取向，同时使得辅助电流的截止计时迟于自旋注入电流截止的计时。
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