[发明专利]模拟半导体集成电路和其调整方法无效

专利信息
申请号: 200610002457.1 申请日: 2006-01-26
公开(公告)号: CN1866151A 公开(公告)日: 2006-11-22
发明(设计)人: 髭本信雅;田边晋司;太矢隆士 申请(专利权)人: 冲电气工业株式会社
主分类号: G05F3/24 分类号: G05F3/24
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供具备开式漏极方式的输出部和与之相对应的偏置调整电路的模拟LSI和其调整方法。在模拟电路(12)的输出侧的内部节点(N)上,连接有作为开式漏极方式的输出部的PMOS(19)的栅极,同时连接有能够按照熔丝(32i)的切断数调整偏置电流的偏置调整电路(30)。预先利用改变阈值电压试制的多个模拟LSI(10j),找出在输入端子(11)上流过一定电流Ic时的电压Vj,和为了在该模拟LSI(10j)的输出部上流过最合适的偏置电流的熔丝切断数的关系。在作为调整对象的模拟LSI(10)的输入端子(11)上流过一定电流Ic,然后测定电压Vx,求出与该电压Vx相对应的熔丝切断数,并切断偏置调整电路(30)内的熔丝(32i)。
搜索关键词: 模拟 半导体 集成电路 调整 方法
【主权项】:
1.一种模拟半导体集成电路,其特征在于,具备:按照提供给输入端子的信号向内部节点输出模拟信号的模拟电路;由将栅极连接在所述内部节点上、将源极连接在接地线上、将漏极连接在输出端子上的MOS晶体管构成的输出部;以及可以通过加减熔丝的切断数来调整提供给所述内部节点的偏置电压的偏置调整电路。
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