[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200610002479.8 | 申请日： | 2006-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN1819158A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 广井政幸 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆锦华 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 多层互连结构的机械强度和耐湿性将被增强。一种半导体器件包括半导体衬底上的电路区和围绕电路区形成的密封环区。密封环区包括多个互连层和多个通孔层，互连层包括互连线，多个通孔层包括彼此层叠的多个隙缝通孔，以及至少一个通孔层(下或中间层)中的隙缝通孔之间的间距不同于其他通孔层(上层)中的隙缝通孔之间的间距。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在半导体衬底上形成的电路区；以及围绕所述电路区形成的密封环区；所述密封环区包括多个互连层和多个通孔层，每个互连层具有在层间介质中形成的互连线，每个通孔层具有在相互层叠的层间介质中形成的多个隙缝通孔，以及所述通孔层的至少一个中的所述隙缝通孔之间的间距不同于其他通孔层中的所述隙缝通孔之间的间距。
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