[发明专利]半导体器件无效

专利信息
申请号: 200610002481.5 申请日: 2006-01-26
公开(公告)号: CN1855486A 公开(公告)日: 2006-11-01
发明(设计)人: 上田岳洋 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L23/525;G11C29/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 孙志湧;陆锦华
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种半导体器件。图2所示的熔丝外围电路具有:熔丝(10)、电位差给予电路(20)、电位差减小电路(30)、端子(40)、存储器电路(50)、传输门(60)以及逻辑门(70)。电位差给予电路(20)被构造为具有:传输门(22),即第一传输门;端子(24),即第一端子;以及端子(26),从而当判断熔丝(10)的断开时,电位差给予电路(20)给予熔丝(10)的两端的之间的预定电位差。电位差减小电路(30)被构造为具有:传输门(32),即第二传输门;端子(34),即第二端子;以及端子(36),并且减小由上述电位差给予电路(20)施加的熔丝(10)的两端之间的电位差。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:熔丝;电位差给予电路,用于当判断所述熔丝的断开时,在所述熔丝的两端之间给予预定电位差;以及电位差减小电路,用于减小所述熔丝的两端之间施加的所述电位差。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司,未经恩益禧电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610002481.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top