[发明专利]半导体器件无效
申请号: | 200610002481.5 | 申请日: | 2006-01-26 |
公开(公告)号: | CN1855486A | 公开(公告)日: | 2006-11-01 |
发明(设计)人: | 上田岳洋 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/525;G11C29/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙志湧;陆锦华 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种半导体器件。图2所示的熔丝外围电路具有:熔丝(10)、电位差给予电路(20)、电位差减小电路(30)、端子(40)、存储器电路(50)、传输门(60)以及逻辑门(70)。电位差给予电路(20)被构造为具有:传输门(22),即第一传输门;端子(24),即第一端子;以及端子(26),从而当判断熔丝(10)的断开时,电位差给予电路(20)给予熔丝(10)的两端的之间的预定电位差。电位差减小电路(30)被构造为具有:传输门(32),即第二传输门;端子(34),即第二端子;以及端子(36),并且减小由上述电位差给予电路(20)施加的熔丝(10)的两端之间的电位差。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:熔丝;电位差给予电路,用于当判断所述熔丝的断开时,在所述熔丝的两端之间给予预定电位差;以及电位差减小电路,用于减小所述熔丝的两端之间施加的所述电位差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的