[发明专利]光学器件与法拉第旋转器的制造方法、光学器件及光通信系统有效
申请号: | 200610002540.9 | 申请日: | 2003-03-14 |
公开(公告)号: | CN1815302A | 公开(公告)日: | 2006-08-09 |
发明(设计)人: | 菅原保;大井户敦 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | G02F1/09 | 分类号: | G02F1/09;H04B10/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘宗杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种便利性优良的光学器件的制造方法,特别是一种稳定地制造高性能光学器件的技术。在获得构成法拉第旋转器的、实质上能呈现矩形磁滞特性的铋置换型稀土铁柘榴石单晶膜之后,在此单晶膜装于光隔离器等光学器件的状态下对单晶膜进行磁化。通过在法拉第旋转器装入光器件之后进行磁化工序,能完全不需要区别单晶膜的内外面,并且能改善光学器件的特性。 | ||
搜索关键词: | 光学 器件 法拉第旋转 制造 方法 光通信 系统 | ||
【主权项】:
1.一种光学器件,其特征在于:设有由顺向的光入射的第一光学元件,与所述第一光学元件以预定间隔相向配置的、由所述顺向的光出射的第二光学元件,配置在所述第一光学元件与所述第二光学元件之间的、使透过所述第一光学元件的光的偏振面旋转后向所述第二光学元件出射的法拉第旋转器,以及固定所述法拉第旋转器的构件;所述法拉第旋转器,由呈现矩形磁滞特性的铋置换型稀土铁柘榴石单晶膜构成,同时用熔点高于该法拉第旋转器的居里点的粘合剂固定在所述构件上。
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