[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200610002557.4 | 申请日： | 2006-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN1819260A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 高桥英树 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置，其中包含：具备第一主面和第二主面的第一导电型的半导体衬底，在半导体衬底的第一主面侧形成的第二导电型的基极区，设于基极区周围，并所包含的第二导电型杂质浓度低于基极区所包含的第二导电型杂质的第二导电型的护环区，设于基极区上的第一电极，以及设于半导体衬底的第二主面上的第二电极；在基极区的周围设有包含第二导电型杂质的第二导电型的基极周边区，该基极周边区与基极区连接，并比基极区深且具有大致一定的深度，同时所包含的第二导电型杂质的浓度低于基极区所包含的第二导电型杂质。从而，提供正向压降小且无需控制少数载流子的寿命并防止恢复击穿的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中包含：具备第一主面和第二主面的第一导电型的半导体衬底，在上述半导体衬底的第一主面侧形成的第二导电型的基极区，设于该基极区周围，并所包含的第二导电型杂质浓度低于上述基极区所包含的第二导电型杂质的第二导电型的护环区，设于上述基极区上的第一电极，以及设于上述半导体衬底的第二主面上的第二电极；在上述基极区的周围设有包含第二导电型杂质的第二导电型的基极周边区，该基极周边区与上述基极区连接，并比上述基极区深且具有大致一定的深度，同时所包含的第二导电型杂质的浓度低于上述基极区所包含的第二导电型杂质。
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