[发明专利]单一金属闸极互补式金氧半导体元件有效
| 申请号： | 200610002787.0 | 申请日： | 2006-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN1828937A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 王志豪;陈尚志;蔡庆威 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种单一金属闸极互补式金氧半导体元件。依据本发明的一种半导体元件，包含在基板结构上形成p－型金氧半导体电晶体，p－型金氧半导体电晶体包含位于基板结构上的源极/汲极及其扩散区域、定义于源极与汲极之间的通道区域、覆盖于通道区域上的闸介电层及位于闸介电层上的闸极。相对于半导体基板而言，闸极是利用具有n－型功函数的材料形成，并处理闸极使闸极相对于半导体基板而言具有中能隙型或p－型功函数。本发明提供了一种利用单一金属来形成闸极的互补金氧半导体元件及其制造方法，适用于形成n－型金氧半导体电晶体及p－型金氧半导体电晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 单一 金属 互补 式金氧 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体元件，其特征在于其包含：一基板结构，包含一半导体基板；以及一p-型金氧半导体，其包含：一源极及一汲极，分别包含一扩散区域于该基板结构中；一通道区域，定义于该源极与该汲极之间；一闸介电层覆盖于该通道区域之上；以及一闸极覆盖于该闸介电层上，其中该闸极的材料相对于该半导体基板而言具有一n-型功函数，处理该闸极使该闸极相对于该半导体基板具有中能隙型或p-型功函数。
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