[发明专利]根据整体图案密度所实施的罩幕关键尺寸的校正

摘要

本发明是有关于一种根据整体图案密度所实施的罩幕关键尺寸的校正。本发明提供了一种形成光罩布局的方法。在本发明的一实施例中，该方法包括：选择光罩布局上的图案特征；定义整体区域，该整体区域的中心点大致上位于光罩布局上的图案特征；计算整体区域内的图案密度；以及根据图案密度及图案化制程资料来校正图案特征。本发明可以校正关键尺寸，还可以补偿整体蚀刻偏差，以及可以适用于各种蚀刻制程，例如用以形成半导体晶圆或其他基材所需要的蚀刻制程，其中其他基材可为应用于薄膜电晶体液晶显示器的玻璃基板，非常实用。

主权项

1、一种形成一罩幕布局的方法，其特征在于其至少包括下列步骤：选择该罩幕布局上的一图案特征；定义一整体区域，且该整体区域的一中心点位于该罩幕布局上的该图案特征；计算该整体区域内的一图案密度；以及根据该图案密度及一图案化制程资料来校正该图案特征。