[发明专利]基底处理装置有效
申请号: | 200610002822.9 | 申请日: | 2006-02-06 |
公开(公告)号: | CN1841696A | 公开(公告)日: | 2006-10-04 |
发明(设计)人: | 安基喆;郑领哲;河泰荣;张祯元;卢一镐;李承培 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/20;H01L21/31;H01L21/3205;H01L21/00;C23C14/00;C23C16/00 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 武玉琴;黄永武 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种在用于有机发光二极管的基底上形成薄层的基底处理装置,该装置包括掩模安装室、沉积室和掩模拆卸室。所述掩模安装室、沉积室和掩模拆卸室的内部安装有传送导轨,而且,用于支撑基底的基底支架沿着传送导轨在这些室内或这些室之间移动。因此,缩短了用于处理基底的时间,并减小了上述装置所占的面积。另外,将上述这些室分成一个或多个组,并在分组的室之间安装闸门阀,以用于打开和关闭分组的室之间的通道。因此,在维修任意室时,其它室可以继续维持为真空状态。 | ||
搜索关键词: | 基底 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基底处理装置,包括:多个处理室,该处理室包含多个沉积室,每个沉积室具有穿透侧壁的开口;传送导轨,其安装在所述沉积室内的上部;至少一个基底支架,当基底在所述沉积室之间移动以及对基底进行处理时,该基底支架支撑着基底,该基底支架连接于所述传送导轨,且沿着所述传送导轨移动;以及沉积材料供给部件,用于向基底支架所支撑的基底提供沉积材料,该沉积材料供给部件设置在沉积室内的传送导轨的下方,其中,所述基底支架经由所述开口、沿着所述传送导轨在处理室之间移动,在连接于传送导轨的基底支架支撑着基底的时候,对该基底进行处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造