[发明专利]注入剂量控制系统与方法、用离子束进行晶圆注入的方法有效
| 申请号： | 200610002904.3 | 申请日： | 2006-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN1892987A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 郑迺汉;张钧琳;彭文煜 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/425;C30B31/22;H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种注入剂量控制系统与方法、用离子束进行晶圆注入的方法，所述注入剂量控制系统，包括第一接口、第二接口、控制器。该第一接口，其是用以接收一注入离子束的扫描位置数据。该第二接口，其是用以接收该注入离子束的流量数据，其是界定在多个扫描之间的一第一流量值，及在该多个扫描中之一者期间的多个第二流量值。该控制器，其是依据该第一流量值决定一容忍范围，决定是否该第二流量值超过该容忍范围，并计算超过该容忍范围的该第二流量值的数目。本发明所述注入剂量控制系统与方法、用离子束进行晶圆注入的方法，可即时侦测离子流量，并根据流量随时调整离子注入量。 | ||
| 搜索关键词： | 注入 剂量 控制系统 方法 离子束 进行 | ||
【主权项】：
1.一种注入剂量控制系统，其特征在于，所述注入剂量控制系统包括：一第一接口，其是用以接收一注入离子束的扫描位置数据；一第二接口，其是用以接收该注入离子束的流量数据，其是界定在多个扫描之间的一第一流量值，及在该多个扫描其中之一的期间的多个第二流量值；以及一控制器，其是依据该第一流量值决定一容忍范围，决定是否该第二流量值超过该容忍范围，并计算超过该容忍范围的该第二流量值的数目。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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