[发明专利]电可擦可编程非易失性存储装置与阵列及其操作方法无效
| 申请号： | 200610003113.2 | 申请日： | 2006-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN101022133A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 王知行 | 申请（专利权）人： | 王知行 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8247;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种电可擦可编程非易失性存储装置与阵列及其操作方法。存储单元包括储存晶体管以及设置于N型传导阱区的注入器。阱区设置于P型传导半导体基底中。储存晶体管包括源极、漏极、通道以及电荷储存区。具有P型传导的源极与漏极设置于阱区中，上述源极与漏极之间定义为阱区的通道。电荷储存区设置于通道上，且透过绝缘体与通道隔离。本发明更提供一种操作存储单元的方法，包括电子注入装置，电子透过绝缘体从通道注入电荷储存区；以及空穴注入装置，空穴透过阱区、通道以及绝缘体从注入器注入电荷储存区。存储单元可透过传统逻辑CMOS制程来实现。 | ||
| 搜索关键词： | 电可擦 可编程 非易失性 存储 装置 阵列 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种电可擦可编程非易失性存储装置，包括：一P型传导半导体材料的一基底；一N型传导的一阱区，设置于上述基底中；一注入器，具有设置于上述阱区中的一P型区；以及一储存晶体管，具有上述P型传导的一源极与一漏极，形成于上述阱区中，上述阱区具有介于上述源极与漏极之间的一通道，以及设置于上述通道上的一电荷储存区，其中上述电荷储存区透过一绝缘体与上述通道隔离。
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