[发明专利]GaAs基单模面发射量子级联激光器结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200610003179.1 | 申请日： | 2006-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN101026287A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 刘俊岐;刘峰奇;李路;邵烨;郭瑜;梁平;胡颖;孙虹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/187;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种GaAs基单模面发射量子级联激光器结构，包括：一衬底，及在衬底上依次生长的背欧姆接触电极、下覆盖层、下波导层、有源层、上波导层、上覆盖层、隔离层，该隔离层淀积在上覆盖层上及下波导层的两侧的上面和有源层、上波导层、上覆盖层的侧面，该隔离层的中间纵向开有一电流注入窗口；一上欧姆接触电极，该上欧姆接触电极淀积在隔离层上并覆盖电流注入窗口除去中间宽W的裸露光栅区；一表面二级分布反馈光栅，该二级分布反馈光栅制作在上覆盖层上，深度接近上覆盖层；一电极引线，该电极引线制作在表面二级分布反馈光栅两侧台阶上的上欧姆接触电极上。 | ||
| 搜索关键词： | gaas 单模 发射 量子 级联 激光器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种GaAs基单模面发射量子级联激光器结构，其特征在于，该结构包括：一衬底，该衬底为高n型掺杂衬底；一背欧姆接触电极，该背欧姆接触电极热蒸发在已减薄的衬底的背面；一下覆盖层，该下覆盖层利用分子束外延生长在衬底的正面；一下覆盖层，该下覆盖层利用分子束外延生长在下覆盖层上；一下波导层，该下覆盖层利用分子束外延生长在下覆盖层上，该下覆盖层的中间部分高于两侧部分；一有源层，该有源层利用分子束外延生长在下波导层上的中间部位；一上波导层，该上波导层利用分子束外延生长在有源层上；一上覆盖层，该上覆盖层利用分子束外延生长在上波导层上；一隔离层，该隔离层淀积在上覆盖层上及下波导层的两侧的上面和有源层、上波导层、上覆盖层的侧面，该隔离层的中间纵向开有一电流注入窗口；一上欧姆接触电极，该上欧姆接触电极淀积在隔离层上并覆盖电流注入窗口除去中间宽W的裸露光栅区；一表面二级分布反馈光栅，该二级分布反馈光栅制作在上覆盖层上，深度接近上覆盖层；一电极引线，该电极引线制作在表面二级分布反馈光栅两侧台阶上的上欧姆接触电极上。
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