[发明专利]半导体纳米结构及其制作方法无效
| 申请号： | 200610003180.4 | 申请日： | 2006-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN101026203A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 陈振 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L31/08;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体纳米结构，包括：一衬底作为半导体器件的承载体；一半导体缓冲层，通过外延生长技术形成在衬底上，起到缓冲衬底和其他层之间应力的作用；一半导体模板层，通过外延生长技术形成在半导体缓冲层上，作为支撑模板；一钝化层，通过表面钝化形成在半导体模板层上，起到提高吸附原子在表面迁移势垒的作用；一半导体诱导层，制作在钝化层上，起到促进半导体纳米岛形成的作用；一半导体纳米岛层，制作在半导体诱导层上，作为光电子器件的活性层；一半导体盖帽层，制作在半导体纳米岛层上，起到保护半导体纳米岛层，或者提供载流子的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 纳米 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体纳米结构，其特征在于，该结构包括：一衬底，作为半导体器件的承载体；一半导体缓冲层，该半导体缓冲层通过外延生长技术形成在衬底上，起到缓冲衬底和其他层之间应力的作用；一半导体模板层，该半导体模板层通过外延生长技术形成在半导体缓冲层上，作为支撑模板；一钝化层，该钝化层通过表面钝化形成在半导体模板层上，起到提高吸附原子在表面迁移势垒的作用；一半导体诱导层，该半导体诱导层制作在钝化层上，起到促进半导体纳米岛形成的作用；一半导体纳米岛层，该半导体纳米岛层制作在半导体诱导层上，作为光电子器件的活性层；一半导体盖帽层，该半导体盖帽层制作在半导体纳米岛层上，起到保护半导体纳米岛层，或者提供载流子的作用。
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