[发明专利]具有辐射结构和隔离效果的高电压和低导通电阻晶体管

摘要

本发明是一种具有辐射结构和隔离效果的高电压和低导通电阻晶体管，根据本发明的一高电压LDMOS晶体管在N型阱的扩展的漏极区域中包括至少一P型场区块。P型场区块群在所述N型阱中形成接面场区，用以使漏极区域与源极区域之间的寄生电容器的电容值均化，并在击穿发生之前完全空乏漂移区。因此达到一较高的击穿电压，并因此允许具有一较高掺杂密度的N型阱。由于源极区域和P型场区块群将漏极区域包围起，使得LDMOS晶体管具有自我隔离的效果。

主权项

1.一种晶体管，其特征在于，包含：一P型衬底；一第一扩散区域和一第二扩散区域，其具有N型导电离子，在所述P型衬底中形成一N型阱，其中所述第一扩散区域包含一扩展的漏极区域；一漏极扩散区域，其含有N+型导电离子，在所述扩展的漏极区域中形成一漏极区域；一P型场区块群，其形成于所述扩展的漏极区域中环绕所述漏极区域，其中所述P型场区块群的尺寸和形状予以调整以调节接面场区；一源极扩散区域，其具有N+型导电离子，其中所述源极扩散区域在由所述第二扩散区域形成的所述N型阱中形成一源极区域并环绕所述漏极区域；一通道，其形成于所述漏极区域与所述源极区域之间；一栅极电极，其形成于所述通道的上以控制所述通道中的一电流流动；一接触扩散区域，其含有P+型导电离子，其中所述接触扩散区域在由所述第二扩散区域形成的所述N型阱中形成一接触区域；和一隔离P型阱，其形成于由所述第二扩散区域形成的所述N型阱中以防止击穿，其中形成于所述第二扩散区域中的所述隔离P型阱将所述源极区域和所述接触区域包围起。