[发明专利]半导体元件及其形成方法无效
| 申请号： | 200610003186.1 | 申请日： | 2006-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN1959978A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 吴仓聚;章勋明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体元件及其形成方法。一种半导体元件，包括一基底、一金属间介电层覆盖于该基底上、以及一含氮四乙氧基硅烷氧化层或一富含氧四乙氧基硅烷氧化层覆盖于该金属间介电层上。在该富含氧四乙氧基硅烷氧化层中氧的分子比率大于70百分比。该金属间介电层包括一超低介电常数层。一种形成半导体元件的方法，包括：提供一基底；沉积一金属间介电层于该基底上；以及沉积一含氮或富含氧四乙氧基硅烷氧化层于该金属间介电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包含：一基底；一金属间介电层于该基底上；以及一含氮或富含氧四乙氧基硅烷氧化层于该金属间介电层上，其中该富含氧四乙氧基硅烷氧化层中氧的分子比率大于70百分比。
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