[发明专利]多位磁性存储装置及其制造和操作方法无效
| 申请号： | 200610003205.0 | 申请日： | 2006-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN1828769A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 林志庆;金庸洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C11/15;H01F10/12;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;李云霞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种利用自旋极化电流的多位磁性存储装置及其制造和操作方法。所述磁性存储装置包括开关器件和连接到所述开关器件的磁性存储节点，其中，所述磁性存储节点包括彼此垂直并分开设置的第一磁性层、第二磁性层和自由磁性层，所述第一磁性层和所述第二磁性层具有彼此相反的自旋极化电子传输特性，并且具有彼此相反的磁极化。所述自由磁性层可包括彼此单独形成的第一自由磁性层和第二自由磁性层。所述磁性存储节点还可包括在所述第一自由磁性层和所述第二自由磁性层之间单独形成的第三磁性层和第四磁性层，所述第三磁性层和所述第四磁性层具有彼此相反的自旋极化电子传输特性，并且具有彼此相反的磁极化。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储 装置 及其 制造 操作方法 | ||
【主权项】：
1、一种磁性存储装置，所述磁性存储装置包括开关器件和连接到所述开关器件的磁性存储节点，其中，所述磁性存储节点包括彼此垂直并分开设置的第一磁性层、第二磁性层和自由磁性层，所述第一磁性层和所述第二磁性层具有彼此相反的自旋极化电子传输特性，并且具有彼此相反的磁极化。
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