[发明专利]像素结构的制作方法

摘要

一种像素结构的制作方法，包括：在一基板上形成一第一导体层；利用一第一光掩膜图案化此第一导体层，以形成一栅极；在基板上形成一介电层，以覆盖栅极；在介电层上依序形成一半导体材料层与一第二导体层；利用一第二光掩膜图案化第二导体层，以形成一像素电极；再次利用第一光掩膜在基板上形成一图案化光刻胶层，以保护栅极上方的半导体材料层；以像素电极与图案化光刻胶层为掩膜图案化半导体材料层，以形成一半导体层；移除图案化光刻胶层；在基板上形成一第三导体层；利用一第三光掩膜图案化第三导体层，以形成一源极/漏极，其中漏极电性连接于像素电极。该方法节省了制作光掩膜的费用，缩短了像素结构的制作时间及成本，进而提供了生产良率。

主权项

1.一种像素结构的制作方法，其特征在于包括：在一基板上形成一第一导体层；利用一第一光掩膜图案化所述第一导体层，以形成一栅极；在所述基板上形成一介电层，以覆盖所述栅极；在所述介电层上依序形成一半导体材料层与一第二导体层；利用一第二光掩膜图案化所述第二导体层，以形成一像素电极；利用所述第一光掩膜在所述基板上形成一图案化光刻胶层，以保护所述栅极上方的所述半导体材料层；以所述像素电极与所述图案化光刻胶层为掩膜图案化所述半导体材料层，以形成一半导体层；移除所述图案化光刻胶层；在所述基板上形成一第三导体层；以及利用一第三光掩膜图案化所述第三导体层，以形成一源极/漏极，其中所述漏极电性连接于所述像素电极。