[发明专利]半导体元件及其形成方法有效
申请号: | 200610003590.9 | 申请日: | 2006-02-15 |
公开(公告)号: | CN1925167A | 公开(公告)日: | 2007-03-07 |
发明(设计)人: | 郑光茗;郑钧隆;庄学理 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L29/78;H01L23/522;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/768 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种半导体元件及其形成方法,该半导体元件包括:一导体图案;一L形间隙壁,包括一垂直部分及一水平部分,该垂直部分置于该导体图案的较低侧壁上,露出该导体图案的上层侧壁;以及一顶部间隙壁,置于该L形间隙壁上,其中该L形间隙壁的该垂直部分对于该顶部间隙壁的宽度比至少约2∶1。本发明提供一种简单且易控制间隙壁来增加金属硅化物形成的面积,所形成的间隙壁可降低因侧壁蚀刻所产生的底切,不会增加间隙壁制程的复杂度,只需改变绝缘层的厚度比即可达成本发明。 | ||
搜索关键词: | 半导体 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体元件,其特征在于,该半导体元件包括:一导体图案;一L形间隙壁,包括一垂直部分及一水平部分,该垂直部分置于该导体图案的较低侧壁上,露出该导体图案的上层侧壁;以及一顶部间隙壁,置于该L形间隙壁上,其中该L形间隙壁的该垂直部分对于该顶部间隙壁的宽度比至少为2∶1。
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