[发明专利]从一晶圆上切割一集成电路晶片的方法有效
| 申请号： | 200610003591.3 | 申请日： | 2006-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN1828862A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 卢思维;李新辉;宋明忠;李明机 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种从一晶圆上切割一集成电路晶片的方法。先提供上面具有数个晶片以及数个切割线的该晶圆。该切割线具有至少一低介电常数层于其上。于该切割线上实施一切割制程。该切割制程至少包含有具有一高能能源的一切割步骤。该高能能源包含有激光。使用数个高铅含量或是无铅的锡铅凸块，贴附并电性连接该集成电路至一封装基底。本发明可以提高半导体晶片的良率，尤其是使用低介电常数材料与无铅封装材料的半导体晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 一晶圆上 切割 集成电路 晶片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种从一晶圆上切割一集成电路晶片的方法，其特征在于，该方法包含有：提供上面具有数个晶片以及数个切割线的该晶圆，其中，该切割线具有至少一低介电常数层于其上；于该切割线上实施一切割制程，至少包含有具有一高能能源的一切割步骤，该高能能源包含有激光；以及使用数个锡铅凸块，贴附并电性连接该集成电路至一封装基底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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