[发明专利]具有Ru合金反平行间隔层的薄膜介质和磁致电阻传感器无效
| 申请号： | 200610003604.7 | 申请日： | 2006-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN1815565A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | 李文扬;李晋山;玛丽·F·多尔纳;布赖恩·R·约克;埃里克·E·富勒顿 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/62 | 分类号： | G11B5/62;G11B5/39;H01F10/32;G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有自由层和与所述自由层间隔开的反平行(AP)被钉扎层结构的磁头。所述AP被钉扎层结构包括至少两个被钉扎层，其具有彼此反平行的自钉扎的磁矩，所述被钉扎层通过AP耦合层分隔开，所述AP耦合层由Ru合金构成。Ru合金耦合层的使用比纯Ru间隔层显著增加了AP被钉扎层结构的钉扎场。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 ru 合金 平行 间隔 薄膜 介质 致电 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储系统，包括：磁介质，包括：铁磁记录层；第二层，其与所述记录层反铁磁耦合；以及AP耦合层，其位于所述记录层与所述第二层之间，其中所述AP耦合层由包括Ru和铁磁金属的Ru合金构成；至少一个头，其用于从所述磁介质读取或向其写入，每个头具有：传感器，包括：自由层；反平行(AP)被钉扎层结构，其与所述自由层间隔开，其中所述AP被钉扎层结构包括至少两个被钉扎层，其具有彼此反平行的自钉扎的磁矩，所述被钉扎层通过AP耦合层分隔开，其中所述AP耦合层由Ru合金构成；写入器，其结合到所述传感器；滑块，其用于支承所述头；以及控制单元，其耦接到所述头，用于控制所述头的运行。
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