[发明专利]半导体发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610003629.7 | 申请日： | 2006-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101000940A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 颜世男;邱荣涂;沈豫俊;蔡清富 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体发光元件，包括活性层，该活性层包括阱层，该阱层未故意掺杂杂质、第一障壁层及第二障壁层。该阱层形成于该第一障壁层及该第二障壁层之间，其中该第一障壁层邻近于该阱层处具有第一故意掺杂杂质区，远离于该阱层处具有第一未故意掺杂杂质区，该第二障壁层邻近于该阱层处具有第二未故意掺杂杂质区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，包括：基板；以及活性层，形成于该基板上，包括：阱层，未故意掺杂杂质；第一障壁层；以及第二障壁层，其中该阱层形成于该第一障壁层及该第二障壁层之间，该第一障壁层具有邻近该阱层的故意掺杂n型杂质区，且具有远离该阱层的未故意掺杂杂质区，该第二障壁层具有邻近该阱层的未故意掺杂杂质区。
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