[发明专利]包括氟类聚合物薄膜的有机薄膜晶体管及其制备方法

摘要

一种包括氟类聚合物薄膜的有机薄膜晶体管及其制备方法。该有机薄膜晶体管可以包括形成在基板上的的栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极，其中氟类聚合物薄膜可以在栅绝缘层和有机半导体层之间的界面处形成(或沉积)。该有机薄膜晶体管可以具有更高电荷载流子迁移率和/或更高开关电流比(I_开/I_关)。此外，聚合物有机半导体可以用于通过湿法工艺形成绝缘层和有机半导体层，因此可以通过简化的过程以降低的成本制造有机薄膜晶体管。

主权项

1.有机薄膜晶体管，包括基板、栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极，该有机薄膜晶体管包括：在栅绝缘层和有机半导体层之间形成的氟类聚合物薄膜，其中所述氟类聚合物薄膜是由以下聚合物形成的，其碳原子数和氟原子数的比例为约5∶1至约30∶1并包含选自下式1表示的重复单元和下式2表示的重复单元中的至少一种重复单元：式中，X为氢原子、C_1～14直链或支化烷基、氟原子或氯原子；Y为氧原子或C_2～14亚烷基；R为下式3表示的基团：式中R₁独立地为下式4表示的官能团中的任一种：(式中n为0至约10的整数)，R₂独立地为下式5表示的官能团中的任一种：和R₃独立地为下式6表示的官能团中的任一种：(式中X含有至少一个氟原子；X独立地为H、F、CF₃、CHF₂、CH₂F、OCF₃、OCHF₂或OCH₂F；m为0至约18的整数)，k为1-3之间的整数，条件是当k为2或更大时，R₁各自可以相同或不同，和l为0-5之间的整数，条件是当l为2或更大时，R₂各自可以相同或不同。