[发明专利]利用金属闪光层控制电容器界面特性的方法无效
| 申请号： | 200610004004.2 | 申请日： | 2006-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN1841658A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | S·戈文达拉詹 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/82;H01L21/8222;H01L21/8242;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 范赤;李连涛 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 可以通过在衬底(例如硅)之上沉积金属闪光层(例如Ti)形成电容器。在金属闪光层之上形成电介质层(例如高K电介质)。在电介质层之上形成导电层，使得导电层容性耦接到衬底和/或金属闪光层。可以对该器件退火，使得金属闪光层改变状态，以及使得导电层和衬底和/或金属闪光层之间的电容增加。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 金属 闪光 控制 电容器 界面 特性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，该方法包括；提供衬底；在该衬底之上形成金属闪光层；在该金属闪光层之上形成电介质层，该电介质层具有约1nm至约40nm的厚度；在该电介质层之上形成导电层，从而将导电层电容耦合到该衬底和/或该金属闪光层；以及对该器件退火，从而该金属闪光层改变状态以及从而增加该导电层和该衬底和/或该金属闪光层之间的电容量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
