[发明专利]独立式静电掺杂碳纳米管器件及其制造方法无效
申请号: | 200610004107.9 | 申请日: | 2006-02-20 |
公开(公告)号: | CN1838446A | 公开(公告)日: | 2006-09-27 |
发明(设计)人: | J·U·李 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 廖凌玲;胡强 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于形成独立式静电掺杂碳纳米管器件的方法和相关联的结构。所述方法包括将碳纳米管设置在基底上以便具有独立部分。形成所述碳纳米管的独立部分的一种方式是去除所述基底的一部分。形成所述碳纳米管的独立部分的另一种方式是将一对金属电极设置在第一基底部分上、去除所述第一基底部分与所述金属电极接近的部分以及将第二基底部分一致地设置在所述第一基底部分上以形成沟槽。 | ||
搜索关键词: | 立式 静电 掺杂 纳米 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种静电掺杂碳纳米管器件(110),包括碳纳米管(112),所述碳纳米管被设置在基底(22)上以使得至少一部分所述碳纳米管是独立的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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