[发明专利]半导体装置形成用晶片及其制造方法、以及场效应晶体管无效
| 申请号： | 200610004192.9 | 申请日： | 2006-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN1838432A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 见田充郎;大来英之;户田典彥 | 申请（专利权）人： | 冲电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/20;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置形成用晶片，其特征在于设有：衬底(12)、在该衬底的主面(12a)侧形成的由GaN构成的电子传输层(16)和在该电子传输层上形成的由AlGaN构成的电子供给层(18)；电子传输层的厚度为0.2～0.9μm。从而，比以往提高了截止耐压，得到较大的输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 晶片 及其 制造 方法 以及 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置形成用晶片，其特征在于设有：衬底、在该衬底的主面侧形成的由GaN构成的电子传输层和在该电子传输层上形成的由AlGaN构成的电子供给层；所述电子传输层的厚度为0.2～0.9μm。
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