[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610004201.4 | 申请日： | 2006-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN1835249A | 公开（公告）日： | 2006-09-20 |
| 发明（设计）人： | 佐山康之;冈田哲也;及川慎;石田裕康;栉山和成 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置及其制造方法，为降低导通状态的电流经路的电阻，而提高栅极电极下方的π部的杂质浓度。但是，用于沟道区域具有从底面到侧面变大的曲率，故杂质浓度过高，则在π部深的位置，耗尽层未充分接触，存在耐压劣化的问题。在栅极电极下方设置n型杂质区域。通过将栅极长度设为沟道区域的深度以下，形成n型杂质区域的侧面与相邻的沟道区域的侧面大致垂直的接合面。由此，耗尽层向衬底深度方向均匀地扩展，故可确保规定的耐压。另外，由于夹着栅极电极的沟道区域的间隔在表面及底面均匀，故可提高n型杂质区域的杂质浓度，谋求低导通电阻化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其具有：一导电型半导体衬底；在所述衬底上层积有一导电型半导体层的漏极区域；反向导电型沟道区域，其在所述半导体层表面设有多个；一导电型杂质区域，其设于相邻的所述沟道区域之间，具有与该沟道区域的侧面大致垂直的接合面；栅极电极，其设于所述一导电型杂质区域上方的所述半导体层表面；绝缘膜，其覆盖所述栅极电极；一导电型源极区域，其设于所述沟道区域表面。
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