[发明专利]具有富硅氧化硅层的存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610004241.9 | 申请日： | 2006-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN1828945A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 车映官;柳寅儆;郑守桓 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/51;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有富硅氧化物层的存储器件及其制造方法。所述具有富硅氧化物层的存储器件包括半导体结构、形成在所述半导体衬底上的源极/漏极区、和形成在所述半导体衬底上的栅结构。所述栅结构与所述源极/漏极区接触并包括具有比二氧化硅层(SiO2)大的硅组分的氧化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 氧化 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有富硅氧化物层的存储器件，所述存储器件具有半导体衬底、形成在所述半导体衬底上的源极/漏极区、和形成在所述半导体衬底上的栅结构，所述栅结构与所述源极/漏极区接触，其中所述栅结构包括具有大于二氧化硅层(SiO2)的硅组分的氧化硅层。
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