[发明专利]制作用于CMOS器件的自对准双应力衬里的方法和结构有效
| 申请号： | 200610004266.9 | 申请日： | 2006-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN1832142A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;钟汇才;埃芬迪·利奥班登 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;高级微型器件公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制作用于CMOS器件的自对准双应力衬里的方法，该方法包括：在第一极性类型的器件和第二极性类型的器件上方制作第一类型的应力层，以及在第一类型的氮化物层上方制作牺牲层。在第二极性类型的器件上方的部分第一类型的应力层和牺牲层被图案化和去除。在第二极性类型的器件上方和在第一极性类型的器件上牺牲层的剩余部分上方制作第二类型的应力层，使得第二类型的应力层被制作成在水平表面上方比在侧壁表面上方厚度更大。去除侧壁表面上的部分第二类型的应力衬里，以及去除第一极性类型的器件上方的部分第二类型的应力衬里。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 用于 cmos 器件 对准 应力 衬里 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种制作用于互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的自对准双应力衬里的方法，该方法包括：在第一极性类型的器件和第二极性类型的器件上方制作第一类型的应力层；在所述第一类型的应力层上方制作牺牲层；图案化并去除所述第二极性类型的器件上方的部分所述第一类型的应力层和所述牺牲层；在所述第二极性类型的器件上方和在所述第一极性类型的器件上所述牺牲层的剩余部分上方制作第二类型的应力层，使得所述第二类型的应力层被制作成在水平表面上方比在侧壁表面上方厚度更大；去除侧壁表面上的部分所述第二类型的应力衬里；以及去除所述第一极性类型的器件上方的部分所述第二类型的应力衬里。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
