[发明专利]半导体装置及其制造方法以及半导体集成电路无效
| 申请号： | 200610004329.0 | 申请日： | 2006-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1819216A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 金本俊几;吉田真澄;渡边哲也;一法师隆志 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84;H01L21/76 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明中在与作为所述PMOS晶体管(QP1)的漏极区域起作用的P型杂质层(P13)在Y方向上相接的分离区域，采用FTI结构。在作为主体区域起作用的N型杂质层(N14、N15、N16)分别经由N型杂质层(N17、N18、N19)且都经过N型杂质层(NL)连接到高电位线(VDL)。N型杂质层(N17、N18、N19)在PTI区域设于SOI衬底的绝缘层和元件分离绝缘膜之间。从而降低寄生于源极区域、漏极区域的结电容，并降低寄生于布线的电容。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 以及 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中设有：多个MIS晶体管，在设于绝缘层上的半导体层上形成，各自至少包括一个栅电极、均到达所述绝缘层的源极区域、漏极区域及主体区域；以及元件分离绝缘膜，将所述MIS晶体管互相分离，所述主体区域夹于所述源极区域和所述漏极区域之间，在所述绝缘层的相反侧与所述栅电极相对，在与所述半导体层的厚度方向和所述MIS晶体管中所述栅电极延伸的第一方向均垂直的第二方向，不同晶体管间的所述源极区域与所述漏极区域之间的所述元件分离绝缘膜达到所述绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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