[发明专利]具有多个捕获膜的非易失性存储器件无效
| 申请号： | 200610004393.9 | 申请日： | 2006-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN1832201A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 金柱亨;韩祯希;金桢雨;闵约赛;金汶庆;郑渊硕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储器件，其包括：形成在半导体衬底上的隧道绝缘膜；形成在该隧道绝缘膜上的存储节点；形成在该存储节点上的阻挡绝缘膜；以及形成在该阻挡绝缘膜上的控制栅极电极。该存储节点至少包括具有不同陷阱密度的两层捕获膜，该阻挡绝缘膜具有比硅氧化物膜的介电常数大的介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 捕获 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件，包括：隧道绝缘膜，其形成在半导体衬底上且具有第一介电常数κ1；存储节点，其形成在该隧道绝缘膜上；阻挡绝缘膜，其形成在该存储节点上且具有第二介电常数κ2；以及控制栅极电极，其形成在该阻挡绝缘膜上，其中该存储节点至少包括具有第一陷阱密度Dt1的第一捕获膜和具有第二陷阱密度Dt2的第二捕获膜，其满足表达式Dt1≠Dt2，且其中该第一和第二介电常数满足表达式κ2＞κ1。
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