[发明专利]非易失性存储器及其制造方法与操作方法无效

专利信息
申请号: 200610004394.3 申请日: 2006-02-16
公开(公告)号: CN101022110A 公开(公告)日: 2007-08-22
发明(设计)人: 陈世宪;李永忠;黄汉屏;毕嘉慧 申请(专利权)人: 力晶半导体股份有限公司
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L21/8247;G11C16/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种非易失性存储器,在基底中设置有至少二条位元线,此二条位元线平行排列,并往第一方向延伸。多个选择栅极结构分别设置于二条位元线之间的基底上,这些选择栅极结构平行排列,并往第一方向延伸,两相邻选择栅极结构之间具有一间隙。多条控制栅极线分别设置于基底上,并填入两相邻选择栅极结构之间的间隙,这些控制栅极线平行排列,并往第二方向延伸,且第二方向与第一方向交错。多个电荷储存层,分别设置于选择栅极结构与控制栅极线之间。
搜索关键词: 非易失性存储器 及其 制造 方法 操作方法
【主权项】:
1.一种非易失性存储器,包括:基底,该基底中设置有至少二条位元线,该二条位元线平行排列,并往第一方向延伸;多个选择栅极结构,分别设置于该二条位元线之间的该基底上,该多个选择栅极结构平行排列,并往该第一方向延伸,两相邻的该多个选择栅极结构之间具有一间隙;多条控制栅极线,分别设置于该基底上,并填入两相邻的该多个选择栅极结构之间的间隙,该多条控制栅极线平行排列,并往第二方向延伸,该第二方向与该第一方向交错;以及多个电荷储存层,分别设置于该多个选择栅极结构与该控制栅极线之间。
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