[发明专利]非易失性存储器及其制造方法与操作方法无效
申请号: | 200610004394.3 | 申请日: | 2006-02-16 |
公开(公告)号: | CN101022110A | 公开(公告)日: | 2007-08-22 |
发明(设计)人: | 陈世宪;李永忠;黄汉屏;毕嘉慧 | 申请(专利权)人: | 力晶半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L21/8247;G11C16/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种非易失性存储器,在基底中设置有至少二条位元线,此二条位元线平行排列,并往第一方向延伸。多个选择栅极结构分别设置于二条位元线之间的基底上,这些选择栅极结构平行排列,并往第一方向延伸,两相邻选择栅极结构之间具有一间隙。多条控制栅极线分别设置于基底上,并填入两相邻选择栅极结构之间的间隙,这些控制栅极线平行排列,并往第二方向延伸,且第二方向与第一方向交错。多个电荷储存层,分别设置于选择栅极结构与控制栅极线之间。 | ||
搜索关键词: | 非易失性存储器 及其 制造 方法 操作方法 | ||
【主权项】:
1.一种非易失性存储器,包括:基底,该基底中设置有至少二条位元线,该二条位元线平行排列,并往第一方向延伸;多个选择栅极结构,分别设置于该二条位元线之间的该基底上,该多个选择栅极结构平行排列,并往该第一方向延伸,两相邻的该多个选择栅极结构之间具有一间隙;多条控制栅极线,分别设置于该基底上,并填入两相邻的该多个选择栅极结构之间的间隙,该多条控制栅极线平行排列,并往第二方向延伸,该第二方向与该第一方向交错;以及多个电荷储存层,分别设置于该多个选择栅极结构与该控制栅极线之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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