[发明专利]非易失性存储器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种非易失性存储器，包括基底、控制栅极、浮置栅极与选择栅极。基底中设置有源极区与漏极区。控制栅极设置于源极区与漏极区之间的基底上。浮置栅极设置于控制栅极与基底之间，浮置栅极的剖面如呈L型，包含垂直于基底的中央区与平行于基底的外围区，中央区与源极区相邻。选择栅极设置于控制栅极与浮置栅极的外围区侧壁，且选择栅极与漏极区相邻。另外，本发明还包括前述非易失性存储器的制造方法。

主权项

1.一种非易失性存储器，包括：第一存储单元，包括：基底，该基底中设置有源极区与漏极区；控制栅极，设置于该源极区与该漏极区之间的该基底上；浮置栅极，设置于该控制栅极与该基底之间，该浮置栅极包含垂直于该基底的中央区与平行于该基底的外围区，该中央区与该源极区相邻；以及选择栅极，设置于该控制栅极与该浮置栅极的该外围区侧壁，且该选择栅极与该漏极区相邻。