[发明专利]将离子注入晶圆的方法及使用其制造分级结的方法无效
| 申请号： | 200610004417.0 | 申请日： | 2006-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN1866471A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 卢俓奉;秦丞佑;黄善焕 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及离子注入方法。根据本发明，一种用于制造半导体元件的离子注入方法是垂直离子注入与倾斜离子注入的组合离子注入。根据上述离子注入方法，杂质离子的第一剂量，作为将被注入的杂质离子的全部剂量的一部分，通过垂直离子注入首先被注入。然后，杂质离子的其余剂量，除全部剂量的第一剂量外，以倾斜离子注入被注入。在此，倾斜离子注入可被再细分成多份倾斜离子注入。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 方法 使用 制造 分级 | ||
【主权项】：
1.一种离子注入方法，包括：将杂质离子的第一剂量注入衬底作为将被注入该衬底的该杂质离子的全部剂量的部分；及将该杂质离子的第二剂量注入该衬底作为全部剂量的部分，其中该第一与第二剂量中的一份利用垂直离子注入步骤注入，且该第一与第二剂量的另一份利用倾斜离子注入步骤注入。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610004417.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
