[发明专利]可以识别表里的矩形氮化物半导体基片无效
| 申请号： | 200610004423.6 | 申请日： | 2004-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN1832162A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 中山雅博;平野哲也 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/02;H01L21/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 已有的GaN晶片表面是镜面，里面是粗糙面，用肉眼就能看到面粗糙度的不同从而区别表面和里面。这不是容易看清楚的不同，当里面未加利用和保护时恐怕会附着粒子，也恐怕也会使弯曲变大，发生裂缝·发生破裂等。我们希望不用粗糙度的不同也能够区别氮化物半导体矩形基片的表里。为了区别表里在矩形GaN基片的两个角部设置按顺时钟旋转地以长短顺序排列的切除缺口，在一个角部设置形成角度5°～40°的一个切除缺口，或者使表面一侧和里面一侧的面去除量不同，或者通过写入文字来区别表里。因为能够使里面更平滑使它的状态与表面近似，所以减少粒子的附着，既能减少弯曲，也能减少裂缝碎片等的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 可以 识别 表里 矩形 氮化物 半导体 | ||
【主权项】：
1.可以识别表里的矩形氮化物半导体基片，其特征是：它是持有(0001)表面而将(11-20)面和(1-100)面作为侧边的矩形，将(11-20)面作为基准面，在表面一侧在基准面的对边的左顶点，附着与非基准面形成角度Θ＝5～40度、长度为全周长K的1/40～1/16的切除缺口。
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