[发明专利]配线基板的制造方法有效
| 申请号： | 200610004424.0 | 申请日： | 2006-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN1822316A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 佐藤直也;成田明仁;赤塚悟;阿部务 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/48;H05K3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供高效制造可靠性高的配线基板的方法。准备形成包括第一层(12)及形成在第一层(12)上的第二层(14)的金属层(16)的树脂基板(10)。对金属层(16)蚀刻，形成包括被图案化的第一层(12)及第二层(14)的配线图案(20)，第一层(12)的一部分残留在配线图案(20)的第二层(14)之外。对配线图案(20)及第一层(12)的残留物进行非电解镀处理。之后清洗树脂基板(10)。使用用于溶解掉由非电解镀处理在第一层(12)的残留物上析出的金属及第一层(12)的残留物的酸性溶液；用于溶解树脂基板(10)除掉支持第一层(12)的残留物的部分的碱性溶液的至少一方来进行树脂基板(10)的清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 配线基板 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种配线基板的制造方法，包括：准备形成了包括第一层及形成在所述第一层上的第二层的金属层的树脂基板的工序；对所述金属层进行蚀刻，形成包括被图案化的所述第一层及所述第二层的配线图案，使所述第一层的一部分残留在所述配线图案的所述第二层之外的工序；对于所述配线图案及所述第一层的残留物，进行非电解镀处理的工序；及其后进行的清洗所述树脂基板的工序，使用：用于对由所述非电解镀处理在所述第一层的残留物上析出的金属及所述第一层的残留物进行溶解除掉的酸性溶液；及用于溶解所述树脂基板除掉支持所述第一层的残留物的部分的碱性溶液；的至少一方来进行所述树脂基板的清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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