[发明专利]氮化物半导体元器件

摘要

本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构，即可降低元器件所用电流、电压，实现效率高的元器件。

主权项

1.一种氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间由氮化物半导体所组成的活性层，其特征在于，所述n导电侧半导体区域中至少一层氮化物半导体层是由组成上互异且n型杂质浓度不同的第一及第二氮化物半导体层积层而成的n侧超格子层，所述p导电侧半导体区域中至少一层氮化物半导体层是由组成上互异且p型杂质浓度不同的第三及第四氮化物半导体层积层而成的p侧超格子层，在所述n侧超格子层中，所述第一氮化物半导体层具有较所述第二氮化物半导体层大的带隙能量以及较所述第二氮化物半导体层大的n型杂质浓度，在所述p侧超格子层中，所述第三氮化物半导体层具有较所述第四氮化物半导体层大的带隙能量以及较所述第四氮化物半导体层大的p型杂质浓度。