[发明专利]制造精密含硅电阻器的方法无效
| 申请号： | 200610004530.9 | 申请日： | 2006-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN1828867A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·M·拉塞尔;道格拉斯·D·库尔鲍;约翰·E·弗洛基 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供制造高精密含硅电阻器的各种方法，其中电阻器利用低温硅化形成为在互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺中集成的分立器件。在一些实施例中，含Si层在激活之前被注入有高剂量离子。通过保护性电介质层的沉积、或单独激活退火可以进行该激活。在另一实施例中，利用高度掺杂的原位含Si层从而消除对注入含Si层的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 精密 电阻器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造精密含Si电阻器的方法，包括：提供结构，其包括至少一个电阻器器件区域和至少一个其它类型的器件区域，其中所述至少一个电阻器器件区域包括含Si层且所述至少一个其它类型的器件区域具有形成在其中的激活的掺杂剂区域；以约1E14原子/cm2或更大的离子剂量将第一导电类型掺杂剂注入到所述含Si层中；以及在所述至少一个电阻器器件区域中所述含Si层上在激活所述含Si层内的所述第一导电类型掺杂剂的温度下形成保护性电介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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