[发明专利]电路装置的制造方法无效
申请号: | 200610004544.0 | 申请日: | 2006-01-27 |
公开(公告)号: | CN1819132A | 公开(公告)日: | 2006-08-16 |
发明(设计)人: | 高草木贞道;坂本则明;根津元一;五十岚优助 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H05K3/34;B23K35/362 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李贵亮;杨梧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供电路装置的制造方法,防止熔融焊膏得到的焊料中产生收缩。本发明的电路装置的制造方法包括:在衬底(16)表面形成含有焊盘(18A)及(18B)的导电图案(18)的工序;在焊盘(18A)表面涂敷焊膏(21A)后,将其加热熔融,形成焊料(19A)的工序;在焊盘(18B)上固定电路元件的工序;介由焊料(19A)将电路元件固定到焊盘(18A)上的工序。另外,构成焊膏(21)的焊剂中含有硫磺。通过混入硫磺,焊膏(21A)的表面张力降低,抑制收缩的产生。 | ||
搜索关键词: | 电路 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种电路装置的制造方法,其特征在于,包括:在衬底表面形成含有焊盘的导电图案的工序;在所述焊盘表面涂敷焊膏的工序;在将电路元件载置于所述焊膏上之后,将所述焊膏加热熔融,将所述电路元件固定到所述焊盘上的工序,其中所述焊膏含有硫磺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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