[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200610004567.1 | 申请日： | 2006-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN1815624A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | 上田岳洋 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;G11C29/44 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 图2所示的熔丝外围电路具有熔丝(10)、电位差给予电路(20)、电位差减小电路(30)、端子(40)、存储器电路(50)、传输门(60)、以及逻辑门(70)。逻辑门(70)连接到传输门(60)的输入端。逻辑门(70)用作传输防止电路，当进行断开判断时，其用于防止存储在存储器电路(50)中的信号被传输到熔丝(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：熔丝；存储器电路，其存储指示所述熔丝是否被烧断的判断结果的信号；以及传输防止电路，当进行所述判断时，其用于防止存储在所述存储器电路中的所述信号被传输到所述熔丝。
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