[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 200610004823.7 | 申请日： | 2000-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN1825620A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;小山润;山本一宇;小沼利光 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L27/15;H05B33/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种用于制作电光器件的方法，包括：在一个绝缘表面上形成具有多栅极结构的开关薄膜晶体管；在所述开关薄膜晶体管上形成一个钝化膜；在所述钝化膜上形成一个阳极，所述阳极电连接到所述开关薄膜晶体管；通过喷墨法在所述阳极上形成一个EL层；以及在所述EL层上形成一个阴极。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件，包括：衬底；在所述衬底上的薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管上的夹层绝缘膜；在所述夹层绝缘膜上的第一电极，所述第一电极与所述薄膜晶体管电连接；在所述夹层绝缘膜上的边沿，所述边沿覆盖所述第一电极的一边缘；在所述第一电极上的EL层，所述EL层设置邻近于所述边沿的一侧边缘；和覆盖所述边沿和所述EL层的第二电极，其中，所述EL层不延伸超过所述边沿的所述侧边缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
