[发明专利]氧化物材料、其制造方法以及使用该氧化物材料的半导体元件

摘要

本发明提供了在钙钛矿型或层状钙钛矿型晶格结构的氧化物中固溶含有选自Si、Ge、Sn的1种以上的IV族元素的催化物质的氧化物材料。该钙钛矿型或层状钙钛矿型晶格结构的氧化物材料在低温下可结晶化，能够维持或改善这些氧化物材料的特性。

主权项

1.一种氧化物材料，它由钙钛矿型或层状钙钛矿型晶格结构的氧化物以及固溶在所述氧化物中的催化物质形成，所述氧化物由(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-表示，式中，A是一种或多种选自Ca2+、Sr2+、Ba2+、Bi3+及La3+的离子，B是一种或多种选自Ti4+、Zr4+、Nb5+、Ta5+和V5+的离子，m是2或3；所述催化物质选自WSiO5、V2SiO7、ZrSiO4、Sb2SiO5、Fe2SiO5、La2SiO5、CuSiO3、ZnSiO3、MnSiO3、Bi2SiO5、Y2SiO5、Bi2GeO5、Bi4Si3O12和Bi4Ge3O12。