[发明专利]使用碳纳米管沟道的多位非易失性存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 200610004871.6 | 申请日： | 2006-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN1825594A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 姜东勋;韩祯希;朴玩濬;金元柱;玄在雄 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及使用碳纳米管沟道的多位非易失性存储器件及其操作方法。该多位非易失性存储器件包括：由至少一个碳纳米管形成且在一方向上延伸的沟道；源极和漏极，其沿该沟道延伸的该方向彼此隔开布置，且接触该沟道的不同部分；形成在该沟道之下的第一存储节点；形成在该沟道上的第二存储节点；形成在该第一存储节点之下的第一栅极电极；以及形成在该第二存储节点上的第二栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 纳米 沟道 非易失性存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种多位非易失性存储器件，包括：由至少一个碳纳米管形成且在一方向上延伸的沟道；源极和漏极，其沿该沟道延伸的该方向彼此间隔开布置，且接触该沟道的不同部分；形成在该沟道之下的第一存储节点；形成在该沟道上的第二存储节点；形成在该第一存储节点之下的第一栅极电极；以及形成在该第二存储节点上的第二栅极电极。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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