[发明专利]电场放射型电子源无效
| 申请号： | 200610004887.7 | 申请日： | 2001-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN1825520A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 菰田卓哉;本多由明;相泽浩一;栎原勉;渡部祥文;幡井崇;马场彻 | 申请（专利权）人： | 松下电工株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/30 | 分类号： | H01J1/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种电场放射型电子源(10)，在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有：由导电性层构成的下部电极(8)；含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6)；由金薄膜构成的表面电极(7)。而且，外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极，并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移，通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层，据此，就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7)，从而降低耗电量。 | ||
| 搜索关键词： | 电场 放射 电子 | ||
【主权项】：
1.一种电场放射型电子源，包括：衬底；形成在衬底的一个表面上的导电性层；形成在导电性层上的半导体层；形成在该半导体层的表面一侧，并具有由氧化或氮化的多孔性半导体层构成的漂移部的强电场漂移层；形成在强电场漂移层上的表面电极；外加电压使表面电极相对于导电性层为正极，据此，使从导电性层注入强电场漂移层的电子在强电场漂移层中漂移，并通过表面电极放射；在导电性层、表面电极、导电性层与漂移部之间的部分、表面电极与漂移部之间的部分中的任意一个中，设置有用于抑制流过漂移部的电流中对电子放射无用的电流的电流抑制构件；所述电流抑制构件是通过抑制从漂移部周围放射电子来降低耗电量的电子放射抑制构件。
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