[发明专利]非易失性存储器装置及其编程与读取方法无效
| 申请号： | 200610004967.2 | 申请日： | 2006-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN1825483A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 朱锡镇 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/06;G11C16/10;G11C11/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽;李晓舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种非易失性存储器装置，其包括：第一存储器块，其包括提供在第一漏极选择晶体管与源极选择晶体管之间的多个存储器单元；以及第二存储器块，其包括提供在第二漏极选择晶体管与源极选择晶体管之间的多个存储器单元。所述第一和第二存储器块共享相同的源极选择晶体管，所述源极选择晶体管通过源极选择线被提供电压。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 装置 及其 编程 读取 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器装置，其包含：第一存储器块，其包括提供在第一漏极选择晶体管和源极选择晶体管之间的多个存储器单元；和第二存储器块，其包括提供在第二漏极选择晶体管和源极选择晶体管之间的多个存储器单元，其中所述第一和第二存储器块共享相同的源极选择晶体管，所述源极选择晶体管通过源极选择线被提供电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610004967.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
