[发明专利]包括高介电常数绝缘层的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610005021.8 | 申请日： | 2006-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN1825628A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 田尚勋;崔圣圭;金桢雨;黄显相;韩祯希;崔相武;朴星昊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件，包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区设置在半导体衬底中；绝缘层，设置得与所述第一掺杂区和第二掺杂区接触，所述绝缘层包括从包括Hf、Zr、Y和Ln的组中选择的材料；和设置在所述绝缘层上的栅电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 介电常数 绝缘 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体存储器件，包括：第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区设置在半导体衬底中；绝缘层，设置得与所述第一掺杂区和所述第二掺杂区接触，所述绝缘层包括Hf硅酸盐、Zr硅酸盐、Y硅酸盐和Ln硅酸盐中的至少一种；和栅电极层，设置在所述绝缘层上。
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