[发明专利]与非门快闪存储装置的回复方法

摘要

一与非门快闪存储装置藉由将一预定偏压施加至漏极或源极来回复。将负偏压施加至单元栅极以使得电子得以射入单元的浮动栅极中。此使得擦除阈值电压的分布变窄且最小化由周边单元的状态所引起的干扰。该回复方法包括：提供半导体衬底；提供多个单元区块，每一单元区块具有多个形成于半导体衬底上的单元串，每一单元串包括多个串联的单元；在单元串与漏极区域间提供漏极选择晶体管；在单元串与源极区域间提供源极选择晶体管；其中藉由在擦除之后将第一预定偏压经由选定位线施加至漏极区域、将第二预定偏压施加至选定单元区块的漏极选择晶体管及将第三预定偏压施加至选定单元区块的源极选择晶体管、并将接地电压施加至源极来回复装置。

主权项

1.一种用于一与非门快闪存储装置的回复方法，该方法包括：提供一半导体衬底；提供多个单元区块，该等单元区块的每一者具有多个形成于该半导体衬底上的单元串，该等单元串的每一者包括多个串联耦接的单元；提供一形成于一单元串与一漏极区域之间的漏极选择晶体管；提供一形成于一单元串与一源极区域之间的源极选择晶体管；其中该与非门快闪存储装置藉由在擦除该装置之后将一第一预定偏压经由一选定位线施加至该漏极区域、将一第二预定偏压施加至一选定单元区块的该漏极选择晶体管及将一第三预定偏压施加至该选定单元区块的该源极选择晶体管、并将一接地电压施加至该源极来回复。