[发明专利]操作非易失性存储器装置的分页缓冲器的方法无效
| 申请号： | 200610005059.5 | 申请日： | 2006-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN1825470A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 孙之惠 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邸万奎;黄小临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于操作非易失性存储器装置的分页缓冲器的方法，包括：在编程操作中启动该分页缓冲器的第一锁存电路，以及在回存编程操作中禁用该第一锁存电路。在回存编程操作与编程操作中均启动第二锁存电路。 | ||
| 搜索关键词： | 操作 非易失性存储器 装置 分页 缓冲器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器装置，包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；及多个分页缓冲器，经由感应线耦接至该存储器单元阵列，其中每个分页缓冲器包括：第一及第二锁存电路，被配置为存储程序数据位；数据传输模块，被配置为经由该感应线将该程序数据位传送至选定位线，在编程操作期间，该程序数据位从该第一锁存电路传送，并存储于该第二锁存电路中；以及回存编程电路，耦接于该第二锁存电路与该感应线之间，并被配置为进行回存编程操作，其中该第一锁存电路被配置为在该编程操作中被启动，而在该回存编程操作中不被启动，且该第二锁存电路被配置为在该回存编程操作与该编程操作中均被启动。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610005059.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
